Форум за електроника

[Stoy40]

Мерси "колега" за оценката която ми дадохте,за познанията ми по електроника(аз съм госта преди да се регистрирам).И не само на мен.Ние се опитваме да ти помогнем,но ти рискуваш да погубиш това желание с тези нерви.Шотки диоди,както и МОС трнзистори се връзват паралелно(когато става дума за повишаване на общия изправителен ток) защото първо имат положителен температурен коефициент на ВАХ и се самонагаждат и после ВАХ-овете им са много по близки и полегати(поради точността на изготвяне)от тези на силициевите диоди.А и аз не си спомням да съм говорил за ШИМ контролиране на процеса.Така че успех

[Гост]

Колега Stoy40 не съм давал оценка за знанията ви по електроника, вие имате такива и ми дадохте добри съвети. Просто аз ви казах че падаща ВАХ не става с електрониката като имах предвид ШИМ контролера. Оценката ми беше единствено към колегата leonart който ми казва че:
1 Za Impulsen elektrojen netie neobhodima pada6ta harakteristika
и също дава оценка за работата ми:
kolega s elaktorjena si do nikade !
Така че ако съм ви обидил - извинявайте. Вие пишете че сте нямали предвид ШИМ контролера за обратна връзка по ток. Ако може да ми изясните какво точно сте имали в предвид за обратна връзка. Схемата която имам е долу - горе следната. ШИМ контролер UC3825 без обратна връзка. Мостова схема с IGBT транзистори IRG4PC50UD, като в моста е трансформатора, дросел и кондензатор. Работна честота от 20 до 35 kHz ( така се регулира тока ).Има и токов тр-р но той е само за защита ( спира ШИМ контролера ). Авторът пише че че е резонансен преобразувател но реално той никога не трябва да попада в резонанс защото във веригата ще остане само активното съпротивление. Друг вариант е полумостова схема с относително малки кондензатори в рамената, но при нея трудно се постигат големи мощности защото е на половината от захранващото напрежение и токовете през транзисторите са големи. Третия вариант е със средна точка но са сложили буферния дросел на средния извод където тока е в една посока и защитата на транзисторите от пренапрежения е много сложна защото са на два пъти захранващото а това е предела им. А елементите които са ми необходими съм ги набавил почти всиките и като уточня схемата започвам експерименти.

[Гост]

GEORG, интерсно ми е ти на кой от изброените варианти си се спрял? Аз бих се спрял на мостовата. Но това си е мое мнение. С интерес следя как се развива темата, защото импулсните електрожени са ми любима тема, но познанията ми по- силова електроника не са на ниво . Но ако имах по-вече свободно време бих се пробвал и аз да си направя нещо подобно.

[Georg]

Извинявайте но предния път съм забравил да се логна.
Абе и аз съм се спрял на мостовата, но тя е най трудна за изчисление. Имам две - три програмки за изчислениа на дросели и трансформатори но всичките ми дават различни резултати при еднакви входни параметри пък и не знам какво е съответствието в обозначението на феритите например МН2000,МН3000..... и К2004,К2006.... Между другото следя и руски сайтове на темата, като там положението е почти до бой за начините за постигане на падаща характеристика. Но там споровете са на друго ниво, защото половината от участниците са си направили вече електрожен или поне са ремонтирали такъв - вадят се формули, осцилограми, схеми като някои от тях са патентовали разни решения, но просто и моите знания не са чак до такова ниво и за сега не се включвам а само чета. Оттам разбрах че 90% от заводските електрожени са изпълнени по схемата на еднотактен обратноходов преубразувател, който няма проблеми с падащата характеристика, но трансформатора трябва да е с двойно по големи габарити и елементите да са двоино по мощни което ме озадачава. Гледах схема на един в рамената са вързани по 8 MOSFET общо 16 и радиаторите - той по размери и тегло ще стане като обикновен електрожен.
Така че продължавам да събирам мнения и схеми и в крайна сметка това което ще правя може би ще е сбор от всики по малко.
_________________
информацията е безценна,не искам и не давам пари за нея.

[Гост]

Ами да,това е принципа.В обратноходовия преобразувател първичната намотка заедно с ключовия транзистор зарежда сърцевината с енергия,а вторичната ползва,колкото и е нужно,тъй като се слагат големи въздушни междини в случая за да се намали магнитната индукция (да не се получи насищане-най опасното нещо за ключа) сърцевината трябва да е големичка 900-1200 мм/2За да "прекара" 6 киловата В "комета" има ЕЕ65 3-4 броя трябва да ги залепиш паралелно,но все пак не става железо като на конвенционалния електрожен Поне 6 паралел 2SK790 мисля че бяха,IGBT са много скъпи и не оправдават средствата,освен това и не са чак толкова издръжливи на пренапрежения,колкото ги хвалят.Трябва да разсееш и почти 800 вата топлина(К.П.Д 75%),което си е радиатори,верно че са нужни по малки заради прекъснатия режим на работа...но все пак.Не забравяй и задължителния дросел за този тип преобразователи,който съвсем не е дребен.Получава се доста големичко устройство,но все пак не тежи 50 килограма, а пък печелиш и от постоянния ток на заваряване ...цветни метали и т.н.Регулирането е с постоянен импулс и променлива честота .Препоръчвам ти UC3845 и много четене преди да почнеш да гориш трнзистори на киограм Дай мейл да ти изпратя статия за импулсните трафове,която е много разбираема и практически полезна.

[диди]

има електрожен изработен сьс широчинноинпулсен чип tda1060 . пьрвичната намотка е една . в двата края има по 4бр. mosfet . дросел в изхода . изходния ток се следи от изхода и от намотка в импулсния трансформатор

[Georg]

На колегата който се е разписал като гост - имам я тая схема с UC3845 но при мен е с два транзистора IRG4PC40UD, а имам и схемата с която е с по 8 транзистора на рамо която по принцип е същата, но е на заводски произведен електрожен. И при двете се постига максимум 100 - 130А и загубите съответно охлаждането са доста големи и проблемни. Предполагам че и на колегата диди схемата е същата или нещо подобно. Тая схема която имам се оказа квазирезонансна а не резонансна както авторът пише. При нея честотата на превключване е по малка от резонансната се получава че кондензатора в моста се зарежда през дросел като формата на тока е почти полусинусуида и ключовите транзистори превключват при почти нулеви токове от там и динамичните загуби са почти нулеви. Напрежението на първичната страна на трансформатора е около 600V тъй като се добавя напрежението на заредения кондензатор. Така се получават големи мощности при почти 95% КПД. Всичко това е много добре, но се изчислява много трудно поне за мен защото от съотношенията и стойностите на индуктивноста на дросела, трансформатора, капацитета на кондензатора и честотата зависят както мощноста така и стръмноста на ВАХ, а авторът не дава никакви данни точно за тези неща, иначе всичко друго е описал.
Така че ако можете да ми помогнете с някои програми за изчисление на имп. трансформатори и дросели или методики за изчисления, моля пратете ми ги на [email protected] или напишете линк към тях.
Благодаря ви!
_________________
информацията е безценна,не искам и не давам пари за нея.

[СергоBG]

Подарявам 4 диода от локомотив срещу помощ в изчисление и изработка на малък електрожен, 27 кв. см сечение, рязан тороид.
Серго

[Гост]

Здравейте момчета.
От няколко дена и мене ме е хванал мерака да си направя импулсен електрожен, не че разбирам кой знае колко от електрожени но.
Та спрял съм се на мостова схема с последователен резонанс и IGBT транзистори на 100kHz. Незнам до колко ще е успешна но от симулациите, които съм правил на компютъра работи и то много добре. Единственото нещо, което не мога да разбера е какъв ферит да използвам. Имам един ториадален ферит, на който размерите са идеални, но ми казаха че трансформатора задължително трябвал да има въздушна междина . Управлението на транзисторите мисля да го направя с микроконтролер и IR2110. Така ще мога да знам какво е времето на паузата и на импулса, с което ще регулирам и тока.

Ако някой прояви желание мога да кача някъде схемата(тя е само силова част) и резултатите от симулацията.

Между другото имам схеми на импулсни захранвания около 5kW, всичките на мостова схема но няма запаралени транзистори, а просто 4 IGBT транзистора. Понеже по горе пише че трябва да са повече транзисторите ми стана интересно.


С уважение Андро

[suxfan]