Форум за електроника

[Veselin Milev]

Здравейте, можете ли да ме насочите към достъпен аналог на следният мощен N-канален MOS транзистор: FS70VSJ-06.
Производител:MITSUBISHI
VDSS = 60V
rDS (ON) (MAX) = 7mOhm
ID = 70A
Integrated Fast Recovery Diode (TYP.) = 90ns
Корпус: TO-220S
Транзисторът е от UPS, колега от друг форум го издирва.
Предполагам, че става въпрос за София, да го насочим нанякъде?
Имам Data sheet-a, но не мога да го кача.
Вторият въпрос, ще се мине ли без електростатично заземяване на поялника? Или не е чувствителен към този род манипулации?
Благодаря предварително!

[Mario-G]

Може би IRFP064N >http://www.tpetrov.com/search.php?prod=IRFP064N или IRFP054N, а това 7 mOhm, 0.7 ома ли е?

[radev]

TO-220S
_________________
Платки http://radev1.narod.ru/
0879-555-472

[antonov67]

Наскоро заменях подобни по параметри с IRF1010. В Пасата са около 2лв.
ако се не лъжа.

[Veselin Milev]

Много благодаря за предложенията, но се появиха някои възражения
, че Reverse Recovery Time на оригинала(90ns) е по-малък от тези аналози (което според мен не е чак толкова важно в случая),
както и че Gate Treshold Voltage - на оригинала е 1.0-2.0V ,а на предложените заместители - 2.0-4.0V. Това доколко може да бъде фатално, дали ще сработва коректно MOS FET-a?

[tropper]

Reverse Recovery Time е на диода. Т.е. зависи в ква схема работи тр-ра - диодът може да се използва, може и не.

Gate Treshold Voltage - зависи с какво напрежение се управлява - ако се управлява от 3-волтова логика ще има значение. Ако не - гледай графиките в дейташита за зависимостта на проводимостта на канала от гейтовото напрежение.
_________________
Тодор Симеонов.
skype: todor.simeonov
Захранващи решения за LAN мрежи.