Форум за електроника

[showMANiak]

Почнах да попрочитам това-онова за импулсните и се мъча да си обясня някои работи и за да не изпадам в заблуди по-добре да питам.Става дума за boost конвертор.
http://upload.wikimedia.org/wikipedia/en/9/9f/Boost_circuit.png
Когато ключа е затврорен (т.е транзистора е отпушен),веригата се състои от източника,бобината, веригата D-S или C-E на транзистора,нал тъй?.Интересно ми е как се определя тока,който се черпи от източника в тоя случай Ако съм прав ,в случая веригата реално (като не включвам активните съпротивления на елементите) представлява последователен L-C кръг,където С е капацитета на прехода D-S (ако приемем ,че транзистора е МOSFET).В такъв случай,тока черпен от източника би трябвало да зависи от импеданса на веригата т.е

[ststefanov]

Когато ключът е затворен, токът нараства линейно през бобината по веригата източник - бобина - затворен ключ.
Няма капацитет тук.

[RC]

За теоретичния въпрос е добре да се върнеш още малко назад към теорията.
Хубаво е да си изясниш топологичното устройство и начина на работа на транзисторите (както на биполярните, така и на MOS) в ключов режим.
Защо може да протича и постоянен ток по веригата C-E при биполярния и съответно D-S при MOS структурите независимо дали са с вграден, индуциран канал или с изолиран гейт (G).
_________________
RemoteControls

[gigant]

Бъркаш, когато транзистора е отпушен капацитета е даден накъсо от него. Тока във веригата нараства по линеен закон по формулата:
dI=U/L*dT, където dI е изменението на тока, U е входното напрежение, L е индуктивността на бобината, dT e времето, през което е отпушен транзистора. Това е при пренебрегване на омичното съпротивление на бобината и Rds_on.
Пример: U=10V, L=100uH, тока на бобината е бил нулев. След включването на транзистора тока почва да расте линейно, т.е след dT=1us I=0.1A, след още една - 0.2А и т.н. на десетата микросекунда ще 1А. Ако не е бил нулев (примерно бил е 0.5А - след 1us ще е 0.6А, след 2 - 0.7А и т.н. след 10 ще е 1.5А)

[vladimirstanoev]

[tropper]

Всъчност цялото объркване идва оттам, че showMANiak вкара формулите за установен синусоидален режим и забрави че транзисторът всъщност е включен за кратко, а ключовите захранвания (когато са в установен режим) е по-коректно да се разглеждат като поредица от преходни процеси между постояннотокови режими. Тогава идва формулата от gigant...


showMANiak , разгледай тази страница - има теоретично обяснение, както и форми за изчисляване и нещо като "симулация".
_________________
Тодор Симеонов.
skype: todor.simeonov
Захранващи решения за LAN мрежи.

[gigant]

[milmar]

[showMANiak]

Първо благодарско на отзовалите се .Второ-явно съм голяма 'фца,щото въобще не включих и се забих във съвсем други теории .Трето-ако съм разбрал правилно,за пример имаме 12В захранване,100uH бобина и клатушкаме транзистора със правоъгълно напрежение с честота 50кХц и коеф.на запълване 0.5.При това положение,периода на сигнала е 20мкс,а при коеф. 0.5 през бобината ще протича ток само 10 мкс т.е максималната стойност на тока ще е I=(12/100.10^-6)*10.10^-6,демек 1.2А.Ефективната стойност би трябвало да е 1.2/sqrt(3) за триъгълник т.е ако забода мултицет да меря тока през бобината,би трябвало да отчете 0.69А .Тъй като при 50кХц,едва ли мултицета ще отчете нещо което дори малко да се доближава до истината,мисля да навържа пробна схема след малко и да бодна един нискоомен резистор (примерно 0.1ом) последователно на бобината и да меря пада върху него и да гледам формата за да си проверя теорията
П.П-tropper,симулациите мисля да са live,на бюрото ми .А колкото до формулите-мъча се да си обясня аджеба какво точно стои зад тях,не просто да ги използвам на готово,но ще го прегледам сайтчето,изглежда nice .То всъщност като цяло трябва да покълва още бая теория,ама колкото повече чета,толкова повече въпрости ми изникват,на които няма отговори и понякога става мазало без да попиташ
_________________
Може и да бъркам.....

[Techmaniac]