| Предишната тема :: Следващата тема |
| Автор |
Съобщение |
p_stoyanoff
Опитен потребител
Регистриран на: 14 Окт 2008
Мнения: 537
|
 Пуснато на: Сря Юли 17, 2013 6:18 Заглавие: Вътрешно съпротивление на IGBT транзистор?! |
 |
|
Здравейте! Забелязал съм, че когато се подаде постоянно отпушващо напрежение на 1 IGBT транзистор(+15В към G и GRD към Е), съпротивлението СЕ е около 300-400 ома. Ако обаче се подават отпушващи импулси, вътрешното му съпротивление е много по-малко.
Възможно ли е някой да обясни явлението? Също така ме интересува каква е зависимостта м/у продължителността на отпушващия импулс и съпротивлението СЕ. Как мога да изчисля какво ще бъде то в края на импулс с произволна дължина(ако въобще е възможно такова изчисление)?
Благодаря! |
|
| Върнете се в началото |
|
 |
gigant
Опитен потребител
Регистриран на: 23 Ное 2011
Мнения: 960
Местожителство: София
|
| Пуснато на: Сря Юли 17, 2013 7:16 Заглавие: |
|
|
| Цитат: | | Забелязал съм, че когато се подаде постоянно отпушващо напрежение на 1 IGBT транзистор(+15В към G и GRD към Е), съпротивлението СЕ е около 300-400 ома.... Възможно ли е някой да обясни явлението? |
Няма какво да се обяснява - просто не е вярно. Пробай да подадеш и на колектора 15V - ако е 300-400ома, трябва да протече само 30-40ма.
Само внимавай с източника на 15V да не е много як, че ще се подпалят кабелите. |
|
| Върнете се в началото |
|
|
tropper
Опитен потребител
Регистриран на: 08 Сеп 2005
Мнения: 1299
Местожителство: София
|
| Пуснато на: Сря Юли 17, 2013 8:39 Заглавие: |
|
|
p_stoyanoff, направи следното:
1) Вземи втори мултицет, освен този, с който си мерил "съпротивлението" на транзистора
2) Свържи втория като амперметър към първия, първия го превключи на измерване на съпротивление и ще измериш с какъв еталонен ток първия измерва съпротивление.
3) Отвори дейташита на транзистора и погледни в изходната характеристика зависимостта на напрежението на насищане C-E при съответното G-E напрежение и колекторен ток Ic
4) Приложи закона на Ома
Припомни си ППЕ (полупроводникови елементи) от 2-ри или 3-ти курс. Преодоляването на енергийната бариера на прехода не може да се опише толкова просто с едно активно съпротивление.
_________________
Тодор Симеонов.
skype: todor.simeonov
Захранващи решения за LAN мрежи. |
|
| Върнете се в началото |
|
|
p_stoyanoff
Опитен потребител
Регистриран на: 14 Окт 2008
Мнения: 537
|
| Пуснато на: Сря Юли 17, 2013 15:50 Заглавие: |
|
|
Добре, схванах! Явно не е това!
Мога ли да попитам какво може да кара един транзистор да увеличава пада на напрежение СЕ, освен късо разбира се?! |
|
| Върнете се в началото |
|
|
pansim
Активен потребител
Регистриран на: 19 Юни 2012
Мнения: 92
Местожителство: Sandanski
|
| Пуснато на: Чет Юли 18, 2013 7:18 Заглавие: |
|
|
| Кажи какво се опитваш да направиш, за да получиш адекватен отговор |
|
| Върнете се в началото |
|
|
slav4o.com
Опитен потребител
Регистриран на: 04 Юли 2004
Мнения: 2970
Местожителство: Велико Търново
|
| Пуснато на: Чет Юли 18, 2013 13:36 Заглавие: |
|
|
p_stoqnoff: Да наистина свържи един консуматор някакъв мощен резистор в колектора и мери режима. Ако ти се отпушва транзистора ще имаш някакво минимално напрежение там. Ако е импулси мери с осцилоскопа.
Аз лично използвам омметър само за проверка на елементи.
Когато пусна схемата ползвам само волтметър. Много рядко амперметър. За всичко съдя по напреженията в определени точки. То всъщност амперметъра и омметъра са производни на волтметъра и това не е случайно. Колегата ми се чуди как меря бушони с волтметъра а пък аз на него как ги мери с омметър. (и двамата работим под напрежение / 12V) |
|
| Върнете се в началото |
|
|
|
Въпроси/Отговори
Търсене
Потребители
Групи
Регистрирайте се
Профил
Влезте, за да видите съобщенията си
Вход
