| Предишната тема :: Следващата тема |
| Автор |
Съобщение |
andrey1988
Опитен потребител
Регистриран на: 30 Дек 2005
Мнения: 1263
Местожителство: Ботевград
|
 Пуснато на: Вто Сеп 12, 2006 8:50 Заглавие: От какво може да пробие транзистор |
 |
|
| Освен от високо напрежение емитер-колектор , голям колекторен ток и прегряване. |
|
| Върнете се в началото |
|
 |
Z*E*W*A
Нов потребител
Регистриран на: 01 Юни 2006
Мнения: 46
|
| Пуснато на: Вто Сеп 12, 2006 9:00 Заглавие: |
|
|
| БОРМАШИНА.Светкавици мн. яко се пръскат |
|
| Върнете се в началото |
|
|
slav4o.com
Опитен потребител
Регистриран на: 04 Юли 2004
Мнения: 2970
Местожителство: Велико Търново
|
| Пуснато на: Вто Сеп 12, 2006 14:04 Заглавие: |
|
|
| Mоже и от високо е-б и от к-б |
|
| Върнете се в началото |
|
|
andrey1988
Опитен потребител
Регистриран на: 30 Дек 2005
Мнения: 1263
Местожителство: Ботевград
|
| Пуснато на: Вто Сеп 12, 2006 14:08 Заглавие: |
|
|
Благодаря , ако имате още предложения казвайте.
П.П. Колко е максималното напрежение Е-Б на КТ812А |
|
| Върнете се в началото |
|
|
tropper
Опитен потребител
Регистриран на: 08 Сеп 2005
Мнения: 1299
Местожителство: София
|
| Пуснато на: Вто Сеп 12, 2006 16:56 Заглавие: |
|
|
Може още от от обратно напрежение. Пример - на всеки транстор, който клати индуктиве елемнт задължително се слага обратен диод.
Може и от голям базов ток да се пръсне.
| andrey1988 написа: | | ...Колко е максималното напрежение Е-Б на КТ812А |
То по принцип не се пуска напрежение, а ток през резистор, това го знеш предполагам, а изгарянето по напрежение Б-Е всъщност си е по ток, т.к. на самия п-н преход си има колкото трябва напрежение (примерно 0.7), останалото се поема от т.нар. обемно съпротивление на базата. Тъй-като то е малко, по закона на ома излиза голям ток и прегаря Б-Е по ток.
Изгаряне по напрежение става само при подаване на прекалено високо на колектор-емитер или колектор-база, когато транзистора е в запушено състояние, или при подаване на отрицателни напрежения на колектор-емитер или база-емитер.
Изгарянето по мощност се получава, когато кристала не успява да разсее топлината, преминава определена температура (обикн. 150 град.) и кристалната решетка преминава в друго състояние.
_________________
Тодор Симеонов.
skype: todor.simeonov
Захранващи решения за LAN мрежи. |
|
| Върнете се в началото |
|
|
baboo
Нов потребител
Регистриран на: 05 Авг 2006
Мнения: 24
Местожителство: Велико Търново
|
| Пуснато на: Вто Сеп 12, 2006 17:27 Заглавие: |
|
|
| Транзисторът може да дефектира по много причини но винаги настъпва топлинен пробив |
|
| Върнете се в началото |
|
|
tropper
Опитен потребител
Регистриран на: 08 Сеп 2005
Мнения: 1299
Местожителство: София
|
| Пуснато на: Сря Сеп 13, 2006 15:53 Заглавие: |
|
|
| baboo написа: | | ... но винаги настъпва топлинен пробив |
Ами.. в общи линии да. За да доизясним се поразрових в дебелите книги.
При нарастване на напрежението С-Е, както и при обратно напрежение настъпва или лавинен или тунелен пробив през структурата. Те са обратими, ако разбира се не се стигне до топлинен пробив.
Друг случай има при транзистори с тънък базов слой. Там под действието на напрежението СЕ колекторният преход се разширява, дебелината на базата w силно намалява и при някакво напрежение U(br)p става равна на нула. Положителният обемен заряд на колекторния преход се слива с този на емитерния и напрежението Ube рязко нараства, което причинява и много стръмно увеличаване на инжекцията на колекторен ток. Ефектът се нарича пробив при залепване и е необратим. Настъпва локално прегряване на тънкия слой на базата.
_________________
Тодор Симеонов.
skype: todor.simeonov
Захранващи решения за LAN мрежи. |
|
| Върнете се в началото |
|
|
ilian_cho
Опитен потребител
Регистриран на: 14 Фев 2006
Мнения: 469
Местожителство: dupnitca
|
| Пуснато на: Сря Сеп 13, 2006 20:53 Заглавие: |
|
|
| В големия процент от случаите транзистора е право натоварен. За да се отговори на въпроса от какво може да пробие транзистора трябва да се разбере в коя част от FBSOA (областта на безоопасна работа при право включен транзистор) работи този транзистор. всички транзистори имат такава област на безоопасна работа. Разликата е ,че при MOS и IGBT тази област е правоъгълна, следователно при тях липсва вторичния пробив.Освен това при полупроводниците (визирам биполярните транзистори) съществуват така наречените "repetetive maximum" (извинявам се ако не го пиша правилно , но съм зле с чуждите езици) напрежения (максимално повтаряеми напрежения както в права така и в обратна посока).Тези напрежения са по-високи от максималните работни и са недопустими при нормална работа. Фирмата производител дава определен брои такива претоварвания за елемента (в разширените каталози).Освен това тези претоварвания са дефинирани с енергия (джаул).Това в общи линии са "статичните" причини за пробив на транзистора. Освен тях съществуват и "динамични" причини за пробив. При биполярните транзистори това се изразява във времето за нарастване на броя на неосновните токоносители в базата. В следствие на това е възможно да се получат зони с голяма токова плътност или т.нар. частичен пробив. При MOS тран. това е т. нар. ефект на Милер-капацитивната връзка между деин и геит. Казано с две думи-това е . |
|
| Върнете се в началото |
|
|
old4
Опитен потребител
Регистриран на: 16 Апр 2006
Мнения: 4796
|
| Пуснато на: Сря Сеп 13, 2006 21:51 Заглавие: |
|
|
| Имам въпрос в кои случаи ТР се поврежда:1:Е-К-късо 2:Е-Б-К-късо3:Б-Е,Б-К няма преход(издухал напълно)? |
|
| Върнете се в началото |
|
|
andrey1988
Опитен потребител
Регистриран на: 30 Дек 2005
Мнения: 1263
Местожителство: Ботевград
|
| Пуснато на: Чет Сеп 14, 2006 8:19 Заглавие: |
|
|
Като го премеря всичко е накъсо , случай 2: Е-Б-К на късо.
Транзистора е в импулсно захранване , което включва с известно закъснение , транзистора пробива веднага след като изтече това закъснение. |
|
| Върнете се в началото |
|
|
|
Въпроси/Отговори
Търсене
Потребители
Групи
Регистрирайте се
Профил
Влезте, за да видите съобщенията си
Вход
