Форум за електроника

[banchev]

Грешката беше, че се опитвах да го отпуша със напрежението приложено върху прехода CE и се получава така, че в момент на отпушване отпушващото напрежение намалява в следствие на отпушване на самия транзистор, което пък от своя страна не го отпушва до краи.

Тук е редно да си призная, че не желаех да сподела грешката защото малко ме е срам от грубата грешка.

[termin_6]

Всеки може да се обърка и да сгреши.Независимо от рутината или натрупаният опит.Човешко е.
Но има друго.Доколкото си спомням,ако не се лъжа,С-Е не е преход.А в този случай преходите са G-C и G-E.
Мен ме съмнява транзистора да е ментак.

[RC]

[termin_6]

Мисля,че IGBT е предназначение,а не конструкция или технология.Не твърдя,че знам всичко.Нито целя конфронтиране.Всички преследваме търсене на истината или аз греша.
В този случай,С-Е преход ли е,RC?

[banchev]

Добре нека не бъде преход. Нека се каже между изводите на колектора и емитера.

Относно това дали е ментак - твъро не е ментак! Предстоят ми още изследвания върху различни транзистори и различни схеми за управлението им.

Относно за това дали е преход или не може да се съди от тук: http://en.wikipedia.org/wiki/Insulated-gate_bipolar_transistor. На картинката се виждат доста преходи между CE, изводите си остават за човека наблюдаващ картинката.

[RC]

IGBT е както конструкция, така също и технология
Преход C-E - няма.
Винаги взаиомодействието става с участието на базовата област и имаме два насрещно свързани прехода.

Но да не се отплесваме от темата.

[milmar]

Аз бих препоръчал MOSFETs , те имат предимства в почти всички приложения .... освен ако се гонят високи напрежение (над 800V ) комбинирани с големи токове . За сега IGBT все още нямат шанс да догонят MOS-овете по бързодействие например .

IGBT обединяват (ужким) добрите свойства на MOS със Биполярната технология , имат приложение в силовата електроника , за сравнително нискочестотни устройства (рядко над 30-40 kHz) .

[banchev]

[termin_6]

RC e прав.Признавам,че съм се заблудил.
IGBT e кострукция и в никакъв случай такъв транзистор,не може да се разглежда от позицията на биполярен.
Но уточнението,потвърдено от него,че С-Е не е преход,е важно.Това не е издребняване.
Ако на учениците,студентите,начинаещите и самоуките,не е обърнато достатъчно внимание по този въпрос,то поне форума да не поддържа тази заблуда.Това може да доведе до абсурдни твърдения и постове.

[milmar]