| Предишната тема :: Следващата тема |
| Автор |
Съобщение |
p_stoyanoff Опитен потребител

Регистриран на: 14 Окт 2008 Мнения: 537
|
Пуснато на: Вто Ное 19, 2013 21:10 Заглавие: Въпрос относно IGBT транзистори |
|
|
Здравейте! При еднополярно управляващо напрежение на IGBT, времената за насищане и запушване се изчисляват така:
Ig=Ug/Rg
T=Cg/Ig
където
Ig - гейтов ток
Ug - гейтово напрежение
Rg - гейтово съпротивление
Cg - общ заряд на гейта
Може ли някой да каже дали има разлика в сметките ако управляващото напрежение е биполярно?
Благодаря! |
|
| Върнете се в началото |
|
 |
pansim Активен потребител

Регистриран на: 19 Юни 2012 Мнения: 92 Местожителство: Sandanski
|
Пуснато на: Вто Ное 19, 2013 22:17 Заглавие: |
|
|
Няма разлика. И за какво ти е отрицателно напрежение на гейта?
Нищо няма да подобри. |
|
| Върнете се в началото |
|
 |
milmar Опитен потребител

Регистриран на: 05 Юни 2007 Мнения: 1010 Местожителство: Русе
|
Пуснато на: Вто Ное 19, 2013 22:58 Заглавие: |
|
|
| Ако наистина смяташ управляващото напрежение да има и отрицателно значение, то естествено че гейтовата верига ще се държи различно в отрицателна посока. Тама няма да има Милър-ефект най-малкото, пък и без да броим това ще има сигурно и други разлики. |
|
| Върнете се в началото |
|
 |
gigant Опитен потребител

Регистриран на: 23 Ное 2011 Мнения: 960 Местожителство: София
|
Пуснато на: Сря Ное 20, 2013 0:08 Заглавие: За четенето... |
|
|
Прочети примерно тази статия по въпроса.
Вероятно ще е интересна и на pansim - пише за какво е минуса на гейта, какво се подобрява и какво се влошава с него.
Има много писано по въпроса - само да ти се чете. |
|
| Върнете се в началото |
|
 |
pansim Активен потребител

Регистриран на: 19 Юни 2012 Мнения: 92 Местожителство: Sandanski
|
|
| Върнете се в началото |
|
 |
p_stoyanoff Опитен потребител

Регистриран на: 14 Окт 2008 Мнения: 537
|
Пуснато на: Сря Ное 20, 2013 9:04 Заглавие: |
|
|
Ясно! Както и предполагах, разликите са пренебрежимо малки при сметките. Единствено напрежението е по-високо и от там по-голяма скорост.
Друг въпрос: От какво зависи проводимостта на един IGBT транзистор?? Имам в предвид следното:ел. спирачка (намотка, която издърпва котва). IGBT е поставен на входа и контролира спирачката. Токът не е голям 5-6А. Изпробвах 2 транзистора : irg4ph30k и hgtg27n120bn. Управляващият сигнал на спирачката не е постоянен, а ШИМ модулиран.
При еднакви времена на отпушване и запушване, по-големият транзистор(hgtg27n120bn) успява да включи спирачката, докато малкият - не. Няма разлика в подаваните входни импулси. Единствено сменям транзистора и Rg, за да докарам същите времена.
Защо се получава така?
Благодаря!
Последната промяна е направена от p_stoyanoff на Сря Ное 20, 2013 10:35; мнението е било променяно общо 1 път |
|
| Върнете се в началото |
|
 |
milmar Опитен потребител

Регистриран на: 05 Юни 2007 Мнения: 1010 Местожителство: Русе
|
Пуснато на: Сря Ное 20, 2013 9:27 Заглавие: |
|
|
Препоръчвам ти освен Gooooogle и форума, да използваш и измервателни средства, добре би било осцилоскоп. Освен това би могъл да подхвърлиш така леко и за какво напрежение си говорим: постоянно/променливо, а пък и стойност все пак.
Почти сигурен съм (съдейки по 6-те ампера), че използването на IGBT е напълно безмислено в твоя случай, но ти губиш в крайна сметка, като не ни казваш всичко (което знаеш ) .
ПП Междувпрочем кой ли знае каква е индуктивността на спирачката ти, каква е честотата на ШИМ-а ти, дали си сложил диод за тока на самоиндукция, все "маловажни" неща .  |
|
| Върнете се в началото |
|
 |
p_stoyanoff Опитен потребител

Регистриран на: 14 Окт 2008 Мнения: 537
|
Пуснато на: Сря Ное 20, 2013 10:29 Заглавие: |
|
|
Напрежението е 300В - постоянно. Честотата на ШИМ е 20kHz. Не е точно ШИМ, а просто подавам напрежението на равни импулси. На това напрежение аз осцилоскоп няма да забуча! Нямам необходимите сонди, а и нямам оптоизолирани входове! Когато поставя голям транзистор, токът е нормален. При малкия обаче не протича достатъчен ток и съответно не работи.
Проблемът не е във зададените времена за насищане и запушване! Проверих! Най-вероятно става дума за някакъв параметър, по който се различават двата.
Благодаря! |
|
| Върнете се в началото |
|
 |
pansim Активен потребител

Регистриран на: 19 Юни 2012 Мнения: 92 Местожителство: Sandanski
|
Пуснато на: Сря Ное 20, 2013 11:12 Заглавие: |
|
|
Така както го казваш - просто не е възможно!!!
Не може единия да работи а другия не.
И без осцилоскоп е трудна работа.
Начертай примерна схема на включването на ИГБТ |
|
| Върнете се в началото |
|
 |
al_at Опитен потребител

Регистриран на: 05 Окт 2011 Мнения: 385 Местожителство: София
|
Пуснато на: Сря Ное 20, 2013 13:48 Заглавие: Re: Въпрос относно IGBT транзистори |
|
|
Формулата за времената е горе-долу вярна за MOSFET и въобще не отчита времената на биполярния транзистор в структурата на IGBT. Ако беше така, включването и изключването щяха да са еднакво бързи, а не с 5-10 пъти по-бавно изключване, както е при IGBT.
А за разликата между двата IGBT - например мощният има входен капацитет около 8nF, докато маломощният - 800pF. Не знам с какви резистори Rg са изравнявани времената, но предполагам, че входния капацитет на мощния транзистор в комбинация с Rg интегрира входните импулси и транзисторът стои отпушен. Маломощният транзистор сигурно успява да се включва и изключва достатъчно бързо, но поради голямата индуктивност на спирачката, токът не успява да нарасне достатъчно. но това е гадаене. Може да се опита да се включи схемата на ниско напрежение и да се гледа на осцилоскоп. Освен това си трябва и диод и то бърз, иначе напрежението може да стигне и киловолти. |
|
| Върнете се в началото |
|
 |
|