Форум за електроника Форуми Форум за електроника
Български форум за електроника, ремонти, схеми, документация
 
 Въпроси/ОтговориВъпроси/Отговори   ТърсенеТърсене   ПотребителиПотребители   ГрупиГрупи   Регистрирайте сеРегистрирайте се 
 ПрофилПрофил   Влезте, за да видите съобщенията сиВлезте, за да видите съобщенията си   ВходВход 

Въпрос относно IGBT транзистори
Иди на страница 1, 2, 3  Следваща
 
Създайте нова тема   Напишете отговор    Форум за електроника Форуми -> Обща електроника - General Electronics



Предишната тема :: Следващата тема  
Автор Съобщение
p_stoyanoff
Опитен потребител
Опитен потребител


Регистриран на: 14 Окт 2008
Мнения: 537

МнениеПуснато на: Вто Ное 19, 2013 21:10    Заглавие: Въпрос относно IGBT транзистори Отговорете с цитат

Здравейте! При еднополярно управляващо напрежение на IGBT, времената за насищане и запушване се изчисляват така:
Ig=Ug/Rg
T=Cg/Ig
където
Ig - гейтов ток
Ug - гейтово напрежение
Rg - гейтово съпротивление
Cg - общ заряд на гейта
Може ли някой да каже дали има разлика в сметките ако управляващото напрежение е биполярно?
Благодаря!
Върнете се в началото
Вижте профила на потребителя Изпратете лично съобщение Изпрати мейла
pansim
Активен потребител
Активен потребител


Регистриран на: 19 Юни 2012
Мнения: 92
Местожителство: Sandanski

МнениеПуснато на: Вто Ное 19, 2013 22:17    Заглавие: Отговорете с цитат

Няма разлика. И за какво ти е отрицателно напрежение на гейта?
Нищо няма да подобри.
Върнете се в началото
Вижте профила на потребителя Изпратете лично съобщение Посетете сайта на потребителя
milmar
Опитен потребител
Опитен потребител


Регистриран на: 05 Юни 2007
Мнения: 1010
Местожителство: Русе

МнениеПуснато на: Вто Ное 19, 2013 22:58    Заглавие: Отговорете с цитат

Ако наистина смяташ управляващото напрежение да има и отрицателно значение, то естествено че гейтовата верига ще се държи различно в отрицателна посока. Тама няма да има Милър-ефект най-малкото, пък и без да броим това ще има сигурно и други разлики.
Върнете се в началото
Вижте профила на потребителя Изпратете лично съобщение
gigant
Опитен потребител
Опитен потребител


Регистриран на: 23 Ное 2011
Мнения: 960
Местожителство: София

МнениеПуснато на: Сря Ное 20, 2013 0:08    Заглавие: За четенето... Отговорете с цитат

Прочети примерно тази статия по въпроса.
Вероятно ще е интересна и на pansim - пише за какво е минуса на гейта, какво се подобрява и какво се влошава с него.

Има много писано по въпроса - само да ти се чете.
Върнете се в началото
Вижте профила на потребителя Изпратете лично съобщение Изпрати мейла
pansim
Активен потребител
Активен потребител


Регистриран на: 19 Юни 2012
Мнения: 92
Местожителство: Sandanski

МнениеПуснато на: Сря Ное 20, 2013 8:45    Заглавие: Отговорете с цитат

http://www.irf.com/technical-info/appnotes/an-990.pdf
Четем...ето същото на стр. 4 и 5.
И няма да промени сметките на колегата
А друг е въпроса дали има смисъл в КОНКРЕТНИЯ случай.
Върнете се в началото
Вижте профила на потребителя Изпратете лично съобщение Посетете сайта на потребителя
p_stoyanoff
Опитен потребител
Опитен потребител


Регистриран на: 14 Окт 2008
Мнения: 537

МнениеПуснато на: Сря Ное 20, 2013 9:04    Заглавие: Отговорете с цитат

Ясно! Както и предполагах, разликите са пренебрежимо малки при сметките. Единствено напрежението е по-високо и от там по-голяма скорост.
Друг въпрос: От какво зависи проводимостта на един IGBT транзистор?? Имам в предвид следното:ел. спирачка (намотка, която издърпва котва). IGBT е поставен на входа и контролира спирачката. Токът не е голям 5-6А. Изпробвах 2 транзистора : irg4ph30k и hgtg27n120bn. Управляващият сигнал на спирачката не е постоянен, а ШИМ модулиран.
При еднакви времена на отпушване и запушване, по-големият транзистор(hgtg27n120bn) успява да включи спирачката, докато малкият - не. Няма разлика в подаваните входни импулси. Единствено сменям транзистора и Rg, за да докарам същите времена.
Защо се получава така?
Благодаря!


Последната промяна е направена от p_stoyanoff на Сря Ное 20, 2013 10:35; мнението е било променяно общо 1 път
Върнете се в началото
Вижте профила на потребителя Изпратете лично съобщение Изпрати мейла
milmar
Опитен потребител
Опитен потребител


Регистриран на: 05 Юни 2007
Мнения: 1010
Местожителство: Русе

МнениеПуснато на: Сря Ное 20, 2013 9:27    Заглавие: Отговорете с цитат

Препоръчвам ти освен Gooooogle и форума, да използваш и измервателни средства, добре би било осцилоскоп. Освен това би могъл да подхвърлиш така леко и за какво напрежение си говорим: постоянно/променливо, а пък и стойност все пак.

Почти сигурен съм (съдейки по 6-те ампера), че използването на IGBT е напълно безмислено в твоя случай, но ти губиш в крайна сметка, като не ни казваш всичко (което знаеш Very Happy ) Idea .

ПП Междувпрочем кой ли знае каква е индуктивността на спирачката ти, каква е честотата на ШИМ-а ти, дали си сложил диод за тока на самоиндукция, все "маловажни" неща . Wink
Върнете се в началото
Вижте профила на потребителя Изпратете лично съобщение
p_stoyanoff
Опитен потребител
Опитен потребител


Регистриран на: 14 Окт 2008
Мнения: 537

МнениеПуснато на: Сря Ное 20, 2013 10:29    Заглавие: Отговорете с цитат

Напрежението е 300В - постоянно. Честотата на ШИМ е 20kHz. Не е точно ШИМ, а просто подавам напрежението на равни импулси. На това напрежение аз осцилоскоп няма да забуча! Нямам необходимите сонди, а и нямам оптоизолирани входове! Когато поставя голям транзистор, токът е нормален. При малкия обаче не протича достатъчен ток и съответно не работи.
Проблемът не е във зададените времена за насищане и запушване! Проверих! Най-вероятно става дума за някакъв параметър, по който се различават двата.
Благодаря!
Върнете се в началото
Вижте профила на потребителя Изпратете лично съобщение Изпрати мейла
pansim
Активен потребител
Активен потребител


Регистриран на: 19 Юни 2012
Мнения: 92
Местожителство: Sandanski

МнениеПуснато на: Сря Ное 20, 2013 11:12    Заглавие: Отговорете с цитат

Така както го казваш - просто не е възможно!!!
Не може единия да работи а другия не.
И без осцилоскоп е трудна работа.
Начертай примерна схема на включването на ИГБТ
Върнете се в началото
Вижте профила на потребителя Изпратете лично съобщение Посетете сайта на потребителя
al_at
Опитен потребител
Опитен потребител


Регистриран на: 05 Окт 2011
Мнения: 385
Местожителство: София

МнениеПуснато на: Сря Ное 20, 2013 13:48    Заглавие: Re: Въпрос относно IGBT транзистори Отговорете с цитат

Формулата за времената е горе-долу вярна за MOSFET и въобще не отчита времената на биполярния транзистор в структурата на IGBT. Ако беше така, включването и изключването щяха да са еднакво бързи, а не с 5-10 пъти по-бавно изключване, както е при IGBT.
А за разликата между двата IGBT - например мощният има входен капацитет около 8nF, докато маломощният - 800pF. Не знам с какви резистори Rg са изравнявани времената, но предполагам, че входния капацитет на мощния транзистор в комбинация с Rg интегрира входните импулси и транзисторът стои отпушен. Маломощният транзистор сигурно успява да се включва и изключва достатъчно бързо, но поради голямата индуктивност на спирачката, токът не успява да нарасне достатъчно. но това е гадаене. Може да се опита да се включи схемата на ниско напрежение и да се гледа на осцилоскоп. Освен това си трябва и диод и то бърз, иначе напрежението може да стигне и киловолти.
Върнете се в началото
Вижте профила на потребителя Изпратете лично съобщение
Покажи мнения от преди:   
Създайте нова тема   Напишете отговор    Форум за електроника Форуми -> Обща електроника - General Electronics Часовете са според зоната GMT + 2 Часа
Иди на страница 1, 2, 3  Следваща
Страница 1 от 3

 
Към:  
Не Можете да пускате нови теми
Не Можете да отговаряте на темите
Не Можете да променяте съобщенията си
Не Можете да изтривате съобщенията си
Не Можете да гласувате в анкети


Powered by phpBB © 2001, 2005 phpBB Group
Translation by: Boby Dimitrov
Where to Find Free Service Manuals